氧化物类脑神经形态器件研究中取得进展

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氧化物类脑神经形态器件研究中取得进展

      栅介质的充放电行为。 三明治结构(MIM)电容经过电流充电后,其电势呈现了短时程塑性行为和非易失性行为(长时程塑性行为)。 生物突触通常由突触前膜、突触间隙、突触后膜组成,在膜生物物理中,生物突触膜通常可以采用霍奇金-赫胥黎(Hodgkin-Huxley)膜电位模型加以说明,脂质膜被等价为一个电容CLipid,脂质膜上存在一些离子通道,可以将离子泵和离子通道分别看成电源(En)和电阻(Gn)。 而对于离子导体电解质,通常可以简化为电容(C)和电阻(R)的组合电路。 因此,氧化物双电层薄膜晶体管与霍奇金-赫胥黎(Hodgkin-Huxley)膜电位模型存在相似之处。

他们设计了具有双栅结构的氧化物双电层薄膜晶体管,器件的等效电路图与Hodgkin-Huxley等效电路类似。 通过电脉冲刺激,在器件上测试了膜电位响应,包括静息电位、兴奋性/抑制性突触膜电位等。 相关研究成果以Hodgkin–HuxleyArtificialSynapticMembraneBasedonProtonic/ElectronicHybridNeuromorphicTransistors为题,发表于AdvancedBiosystems2(2018)1700198上。

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